Semiconductor device

WO2023080087 Art A1 11. Mai 2023

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023080087
Aktenzeichen: EP22889907
Anmeldetag: 28. Oktober 2022
Veröffentlichung: 11. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/3205H01L21/336H01L21/768H01L23/12H01L23/522H01L23/532H01L25/07H01L25/18H01L29/06H01L29/12H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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