Through-silicon via suitable for mems manufacturing process comprising high-temperature process, and manufacturing method therefor
WO2023080375
Art A1
11. Mai 2023
Anmelder: UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023080375
- Aktenzeichen
- EP22890112
- Anmeldetag
- 17. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81B7/00B81B1/00B81C1/00B81B7/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECH
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology)
UNIST (Ulsan National Institute of Science and Technology) ist eine staatliche südkoreanische Technische Universität in Ulsan. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Medizintechnik und Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2018 bis 2025 betreffen unter anderem Dünnschichtverfahren für Katalysatormaterialien.
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