Two-dimensional material heterojunction floating gate memory, and preparation method therefor

WO2023082095 Art A1 19. Mai 2023

Anmelder: University of Science and Technology of China 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023082095
Aktenzeichen: EP21963551
Anmeldetag: 10. November 2021
Veröffentlichung: 19. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/30H10D64/27H10B99/00

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: University of Science and Technology of China
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 University of Science and Technology of China

Die University of Science and Technology of China (USTC) ist eine chinesische Forschungsuniversität mit Sitz in Hefei. Das Patentportfolio verteilt sich breit auf Software und Datenverarbeitung, Nachrichtentechnik, Mess- und Prüftechnik sowie Halbleiter- und Medizintechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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