In-memory calculation method and circuit, semiconductor memory and storage structure
WO2023082458
Art A1
19. Mai 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023082458
- Aktenzeichen
- EP22891270
- Anmeldetag
- 5. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 19. Mai 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C7/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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