Epitaxial structure of n-polar gan/algan heterojunction and preparation method therefor

WO2023087543 Art A1 25. Mai 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023087543
Aktenzeichen: EP22894091
Anmeldetag: 26. Januar 2022
Veröffentlichung: 25. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0304H01L31/109H01L31/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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