Reduced Parasitic Resistance Two-Dimensional Material Field-Effect Transistor

WO2023088677 Art A1 25. Mai 2023

Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023088677
Aktenzeichen: EP22809859
Anmeldetag: 1. November 2022
Veröffentlichung: 25. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/336H01L29/49H01L29/06H01L29/423H01L29/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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