Gate drive device for power semiconductor element, and power conversion device

WO2023089711 Art A1 25. Mai 2023

Anmelder: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY, MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023089711
Aktenzeichen: EP21964726
Anmeldetag: 17. November 2021
Veröffentlichung: 25. Mai 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/10H02M1/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

Japanische technische Universität in Tokio mit Schwerpunkt auf Natur- und Ingenieurwissenschaften. Seit 2024 firmiert sie im Zuge einer Fusion als Institute of Science Tokyo.

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🇯🇵 Mitsubishi Electric

Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik

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