Method for washing silicon wafer, and method for producing silicon wafer with natural oxide film
WO2023090009
Art A1
25. Mai 2023
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023090009
- Aktenzeichen
- EP22895295
- Anmeldetag
- 13. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 25. Mai 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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