Metal substrate structure and method of attaching a terminal to a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module
WO2023094108
Art A1
1. Juni 2023
Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023094108
- Aktenzeichen
- EP22808829
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 1. Juni 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/498H01L21/48H01L23/373
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HITACHI ENERGY LTD
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
Hitachi Energy
Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.
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