Metal substrate structure and method of attaching a terminal to a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

WO2023094108 Art A1 1. Juni 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023094108
Aktenzeichen
EP22808829
Anmeldetag
27. Oktober 2022
Veröffentlichung
1. Juni 2023
Rechtsraum
WO
IPC
H01L23/498H01L21/48H01L23/373
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
HITACHI ENERGY LTD
Land
🇨🇭 Schweiz
🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen