Tunneling Field Effect Transistor Having Buried Drain Structure

WO2023096246 Art A1 1. Juni 2023

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023096246
Aktenzeichen: EP22898928
Anmeldetag: 15. November 2022
Veröffentlichung: 1. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/417H01L29/49H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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