Method of forming silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide substrate

WO2023101613 Art A2 8. Juni 2023

Anmelder: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023101613
Aktenzeichen: EP22901937
Anmeldetag: 2. Dezember 2022
Veröffentlichung: 8. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20C30B29/36H01L29/16

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firma: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Agency for Science, Technology and Research

Staatliche Forschungsorganisation Singapurs (bekannt als A*STAR), zuständig für angewandte Forschung in Biomedizin, Physik und Ingenieurwissenschaften. Fördert Technologietransfer zwischen Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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