Selective etch using fluorocarbon-based deposition of a metalloid or metal

WO2023101915 Art A1 8. Juni 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023101915
Aktenzeichen: EP22902055
Anmeldetag: 28. November 2022
Veröffentlichung: 8. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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