Nh Radical Thermal Nitridation To Form Metal Silicon Nitride Films

WO2023102435 Art A1 8. Juni 2023

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023102435
Aktenzeichen: EP22902368
Anmeldetag: 30. November 2022
Veröffentlichung: 8. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3215H01L21/285H01L21/3205H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von