System and methods for modeling and simulating on-die capacitors

WO2023102760 Art A1 15. Juni 2023

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023102760
Aktenzeichen: EP21966684
Anmeldetag: 8. Dezember 2021
Veröffentlichung: 15. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G06F30/33G06F30/327G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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