Memory device and manufacturing method therefor

WO2023102964 Art A1 15. Juni 2023

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023102964
Aktenzeichen: EP21966881
Anmeldetag: 14. Dezember 2021
Veröffentlichung: 15. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

255 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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