Enhanced gan hemt radio frequency device, and manufacturing method therefor

WO2023103536 Art A1 15. Juni 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023103536
Aktenzeichen: EP22902961
Anmeldetag: 23. September 2022
Veröffentlichung: 15. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

939 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von