Semiconductor device

WO2023106087 Art A1 15. Juni 2023

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023106087
Aktenzeichen: EP22904018
Anmeldetag: 22. November 2022
Veröffentlichung: 15. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/336H01L21/337H01L21/338H01L21/822H01L27/04H01L29/78H01L29/808H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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