Gallium-nitride-layer surface treatment method and semiconductor device

WO2023106346 Art A1 15. Juni 2023

Anmelder: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'E, NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023106346
Aktenzeichen: EP22904274
Anmeldetag: 7. Dezember 2022
Veröffentlichung: 15. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B29/38C30B31/06H01L21/338H01L29/778H01L29/812H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'E
NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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