Gate-all-around device and gate-last single diffusion break process method therefor, and preparation method for device

WO2023108398 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023108398
Aktenzeichen: EP21967538
Anmeldetag: 14. Dezember 2021
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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