Heterojunction transistor type light simulation synaptic device and manufacturing method therefor

WO2023108463 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology (SIAT), Chinese Academy of Sciences (CAS) 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023108463
Aktenzeichen: EP21967601
Anmeldetag: 15. Dezember 2021
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology (SIAT), Chinese Academy of Sciences (CAS)
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology (siat), Chinese Academy of Sciences (cas)

Die Shenzhen Institutes of Advanced Technology sind eine Forschungseinrichtung der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Sitz in Shenzhen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Medizintechnik, ergänzt durch Messtechnik und Halbleitertechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2016 bis 2023.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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