Processing method for photoresist layer and photoresist layer

WO2023108998 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023108998
Aktenzeichen: EP22905766
Anmeldetag: 10. Mai 2022
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/38G03F7/038

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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