Gate-all-around integrated circuit structures having raised wall structures for epitaxial source or drain region confinement

WO2023113913 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: INTEL CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023113913
Aktenzeichen: EP22908177
Anmeldetag: 14. Oktober 2022
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/092H01L29/786H01L29/423H01L29/78H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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