Improved Thermal And Electrical Interface Between Parts in an Etch Chamber
WO2023114082
Art A1
22. Juni 2023
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023114082
- Aktenzeichen
- EP22908255
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/32H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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