Tungsten Wordline Fill in High Aspect Ratio 3D Nand Architecture

WO2023114737 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023114737
Aktenzeichen: EP22908608
Anmeldetag: 12. Dezember 2022
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/27H10B43/27H10B41/10H10B43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von