Method to smooth sidewall roughness and maintain reentrant structures during dielectric gap fill

WO2023114898 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023114898
Aktenzeichen: EP22908698
Anmeldetag: 15. Dezember 2022
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/311C23C16/02C23C16/04C23C16/40C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von