Development strategy for high-absorbing metal-containing photoresists

WO2023115023 Art A1 22. Juni 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023115023
Aktenzeichen: EP22908767
Anmeldetag: 16. Dezember 2022
Veröffentlichung: 22. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/36G03F7/32G03F7/40G03F7/20G03F7/004G03F7/09

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von