Fully transparent thin-film transistor based on indium tin oxide, and preparation method therefor

WO2023115653 Art A1 29. Juni 2023

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023115653
Aktenzeichen: EP22908999
Anmeldetag: 7. Januar 2022
Veröffentlichung: 29. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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