Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor, Igbt

WO2023117261 Art A1 29. Juni 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023117261
Aktenzeichen: EP22821463
Anmeldetag: 22. November 2022
Veröffentlichung: 29. Juni 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/08H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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