Low resistance metal to semiconductor contacts for integrated nmos and pmos transistors
WO2023121814
Art A1
29. Juni 2023
Anmelder: INTEL CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023121814
- Aktenzeichen
- EP22912248
- Anmeldetag
- 22. November 2022
- Veröffentlichung
- 29. Juni 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/45H01L29/417H01L29/786H01L29/06H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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