Integrated circuit structure, memory and integrated circuit layout

WO2023123649 Art A1 6. Juli 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023123649
Aktenzeichen: EP22912955
Anmeldetag: 25. Februar 2022
Veröffentlichung: 6. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02G11C5/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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