Aluminum nitride single crystal and method for producing group iii nitride single crystal

WO2023127455 Art A1 6. Juli 2023

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023127455
Aktenzeichen: EP22915679
Anmeldetag: 8. Dezember 2022
Veröffentlichung: 6. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C23C16/02C23C16/34C23C16/455C30B25/14C30B25/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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