Method for formation of insulation film pattern, precursor used for pattern formation, and semiconductor device

WO2023128331 Art A1 6. Juli 2023

Anmelder: DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023128331
Aktenzeichen: EP22916477
Anmeldetag: 30. November 2022
Veröffentlichung: 6. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04C23C16/02C23C16/24C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Dongjin Semichem

Der Anmelder ist ein südkoreanischer Hersteller von Chemikalien für die Halbleiter- und Displayindustrie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Klebstoffe, Optik und Kunststofftechnik, insbesondere Fotoresists und Materialien für Dünnschichtprozesse. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von