Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

WO2023129203 Art A1 6. Juli 2023

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023129203
Aktenzeichen: EP22917131
Anmeldetag: 17. Mai 2022
Veröffentlichung: 6. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B41/40H10B43/40H10B41/27H10B43/27H10D84/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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