Non-conductive film and forming method therefor, and chip packaging structure and method

WO2023130530 Art A1 13. Juli 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023130530
Aktenzeichen: EP22917997
Anmeldetag: 14. Februar 2022
Veröffentlichung: 13. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/02H01L21/48H01L25/00H01L21/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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