Silicon Nitride Deposition

WO2023133075 Art A1 13. Juli 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023133075
Aktenzeichen: EP22919260
Anmeldetag: 30. Dezember 2022
Veröffentlichung: 13. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/02C23C16/34C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von