Redundant data protection for nand memory using self-verification by internal firmware
WO2023133877
Art A1
20. Juli 2023
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023133877
- Aktenzeichen
- EP22919525
- Anmeldetag
- 17. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/34G11C16/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
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