Novel entropy source structure based on gate overhang modulation transistor, and manufacturing method therefor

WO2023134046 Art A1 20. Juli 2023

Anmelder: Shenzhen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023134046
Aktenzeichen: EP22919688
Anmeldetag: 19. April 2022
Veröffentlichung: 20. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L23/00H01L29/78H01L21/28H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shenzhen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen University

Shenzhen University ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Elektrotechnik, Materialwissenschaft und Optik.

1.287 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von