Method for producing semiconductor substrate, method for forming resist underlayer film, and cleaning fluid
WO2023136260
Art A1
20. Juli 2023
Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023136260
- Aktenzeichen
- EP23740269
- Anmeldetag
- 11. Januar 2023
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/16G03F7/11G03F7/20H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JSR CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JSR Corporation
JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.
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