High selectivity and uniform dielectric etch

WO2023137275 Art A1 20. Juli 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023137275
Aktenzeichen: EP23740756
Anmeldetag: 10. Januar 2023
Veröffentlichung: 20. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01J37/32H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von