Ferroelectric devices including a single crystalline ferroelectric layer and method of making the same

WO2023140878 Art A1 27. Juli 2023

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023140878
Aktenzeichen: EP22922459
Anmeldetag: 18. Mai 2022
Veröffentlichung: 27. Juli 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B51/30H10B51/20H10B51/50H10B51/40H10D64/68

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

1.388 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von