Oxide semiconductor target and thin film, thin film transistor, and method for improving stability thereof

WO2023141967 Art A1 3. August 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023141967
Aktenzeichen: EP22922807
Anmeldetag: 28. Januar 2022
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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