Amplification circuit, control method, and memory

WO2023142207 Art A1 3. August 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023142207
Aktenzeichen: EP22923028
Anmeldetag: 24. Februar 2022
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/12G11C7/18G11C11/4094G11C7/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von

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