Method for depositing a strain relaxed graded buffer layer of silicon germanium on a surface of a substrate
WO2023143804
Art A1
3. August 2023
Anmelder: SILTRONIC AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023143804
- Aktenzeichen
- EP22834655
- Anmeldetag
- 14. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 3. August 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SILTRONIC AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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