Method for producing vertical trench-gate mosfets or igbts and corresponding semiconductor device

WO2023143921 Art A1 3. August 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023143921
Aktenzeichen: EP23700222
Anmeldetag: 12. Januar 2023
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/739H01L29/40H01L21/04H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/78H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

1.608 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von