Topological insulator, quantum bit, method for producing topological insulator, and method for producing quantum bit

WO2023144999 Art A1 3. August 2023

Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023144999
Aktenzeichen: EP22923863
Anmeldetag: 28. Januar 2022
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FUJITSU LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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