Capacitor device and semiconductor device

WO2023145454 Art A1 3. August 2023

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023145454
Aktenzeichen: EP23746668
Anmeldetag: 12. Januar 2023
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/30H01G2/10H01G4/224H01G4/228H01G17/00H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von