Field effect transistor, method for producing same, and sputtering target for production of field effect transistor

WO2023145497 Art A1 3. August 2023

Anmelder: MITSUI MINING&SMELTING CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023145497
Aktenzeichen: EP23746711
Anmeldetag: 16. Januar 2023
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C23C14/08C23C14/34H01L21/203H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MITSUI MINING&SMELTING CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsui Mining & Smelting

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von