Sputtering target material and production method for oxide semiconductor
WO2023145498
Art A1
3. August 2023
Anmelder: MITSUI MINING&SMELTING CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023145498
- Aktenzeichen
- EP23746712
- Anmeldetag
- 16. Januar 2023
- Veröffentlichung
- 3. August 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C23C14/34C01G15/00C01G35/00C04B35/453C23C14/08H01L21/336H01L21/363H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUI MINING&SMELTING CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsui Mining & Smelting
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.
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Vertreten von
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