Method for forming capping layer through selective growth of ruthenium and preparing euv pellicle with multilayer structure through same

WO2023146179 Art A1 3. August 2023

Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023146179
Aktenzeichen: EP23747221
Anmeldetag: 13. Januar 2023
Veröffentlichung: 3. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/62G03F1/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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