Iii-nitride-based high-efficiency and high-power devices grown on or above a strain relaxed template

WO2023150550 Art A2 10. August 2023

Anmelder: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023150550
Aktenzeichen: EP23750351
Anmeldetag: 1. Februar 2023
Veröffentlichung: 10. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/02H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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